首台联合研制国产化MOCVD成功投用完成高质量GaN外延成长！

  原标题：首台联合研制国产化MOCVD成功投用，完成高质量GaN外延成长！

  9月6日，在资料成长与配备渠道的超净试验室里，国家第三代半导体技能立异中心（姑苏）科研人员经过三个多小时试验，选用与国内半导体设备厂家联合研制的首台国产MOCVD设备，首炉试成长成功产出了高质量GaN外延片。成长的GaN外延资料的测验成果：AFM外表Ra0.5nm，XRD摇晃曲线arcsec，载流子迁移率600cm2/V-s。

  首炉高质量GaN外延片的成功出炉，标志着国创中心（姑苏）的公共研制渠道在帮忙工业界研制新设备、开发新技能的支撑服务才能方面，又迈进了坚实的一步，具有极端严重的里程碑含义！

  国创中心（姑苏）环绕第三代半导体中心共性技能，建造敞开同享的公共研制渠道，致力于为工业链供给支撑服务，帮忙企业高效研制，促进科技型领军企业和中小微企业的快速成长。建造以来，经过敞开立异、协作共赢的网络化协同形式，与科研院所、高校、企业严密协作，不断补链强链。

  在本次首炉成长试验中，选用的MOCVD设备是国创中心（姑苏）助力企业研制的新式国产设备。该台设备的成功投用（如图2），也是国创中心（姑苏）敞开式建造立异研制渠道的成功探究实践。

  该设备进一步提高了腔体的环境稳定性，经过对中心部件的优化规划，取得比传统商用设备更高的气流可调性和温度一致性（图3所示）。可以彻底满意对外延要求更高的氮化物资料与器材（GaN基Micro-LED等）的外延成长和器材开发。

  图3 新式MOCVD设备反响腔模仿（a）流场均匀性模仿；（b）量子阱成长阶段的温场模仿

  科研人员在该设备上展开试成长试验，选用两步成长技能取得GaN单晶资料外延层。第一步在衬底上成长低温缓冲层，第二步对缓冲层进行高温热处理，接着进行三维粗化和三维转二维的兼并，终究完成低位错GaN资料的平坦化成长。成长的外延层厚度控制在约2μm，不进行任何掺杂，一起验证设备正常运转的各项功用(如图4所示）。

  成长完毕后，取出的GaN外延片亮光如镜，在显微镜下外表平坦，缺点较少。经原子力（AFM）测验，其外表呈现出台阶流描摹，原子台阶清晰可见，粗糙度值Ra为0.33nm（如图5所示）。

  对该外延片进行晶体质量和电学性质的检测，X射线衍射（XRD）显现，（0002）晶面的半高宽为290弧秒，（10-12）晶面的半高宽为379弧秒，Hall测验成果为该非掺GaN的载流子迁移率为676cm2/V-s（如图6所示）。

  国创中心（姑苏）的立异渠道将持续与科研界、企业界携手，密切协作，架接基础研究到工业化的桥梁，不停地改善改造打破，助力企业高效研制，促进科技成果高质量转化，推进咱们国家第三代半导体工业立异可持续发展，提高国产半导体配备和要害中心技能的世界竞争力。

  资料成长与配备渠道是国家第三代半导体立异中心（姑苏）的四大功用渠道之一，环绕国家严重布局和第三代半导体工业使用需求，面向新式显现、电力电子、微波射频和深紫外等使用领域，联合企业、高校院所重点建造外延技能和配备研制的体系才能，致力于建成世界一流的归纳型资料立异渠道。现在已承当国家重点研制使命3项，江苏省重点项目使命2项，请求中心专利130项，累计为全国60余家国内企业和科研院校供给支撑服务。

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