【48812】江苏GaN外延制作中心开工

  张家港经开区官微音讯，4月18日上午，能华半导体张家港制作中心（二期）项目在张家港经开区再制作基地正式开工建造。

  揭露材料显现，能华半导体选用IDM全工业链形式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),蓝宝石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-on-SiC) 晶圆与器材的研制、规划、制作与出售。能华的6英寸/8英寸GaN晶圆和功率器材包括40V-1200V。

  能华半导体张家港制作中心（二期）项目总投资6000万元，规划建造出产厂房及配套设备，总建筑面积约10000平方米，运用先进半导体外延、测验等工艺技术，置办MOCVD、XRD衍射仪、AFM原子力显微镜等设备，新建GaN外延片产线。

  项目投产后，将构成月产15000片6英寸GaN外延片的出产能力。该项目将对经开区半导体工业进行横向扩能和纵向延伸，逐步增强在半导体范畴的战略布局。