今日头条

  APEC是最重要的电力电子盛会之一。来自学术界和工业界的许多人有机会讨论了有关GaN 和 SiC的一手消息。在会议期间，我有机会与这么多专家交谈，并进一步冒险进入这个惊人的宽带隙ECO...

  氮化镓 (GaN)器件可实现航空航天、交通运输和医疗应用所需的高频、高密度电源。在布置印刷电路板 (PCB)时一定要考虑某些设计规则和组件。例如，多层布局和带有铜孔的走线将减少传导路径长度...

  电动汽车 (EV) 会比柴油发动机产生更多的二氧化碳吗？在内燃机 (ICE) 中，化学反应会释放 CO2。电动汽车运行时不可能会发生此类排放，但用来生产和驱动电动汽车的过程涉及多个二氧化碳排放步骤...

  本文检查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——这篇文章纯粹是指导性的;此组件不再可用。但是这种简单的方法也能应用于其他新组件。在接下来的文章中，将使用其他组件——这种碳化硅 (S...

  ID.3 EV 标志着大众汽车成为大众可负担的全电动 ID 系列中的第一款车型的里程碑。 大众 (VW) ID.3 掀背车于 2019 年推出，被认为是欧洲最畅销的电动汽车 (EV) 之一，并在 EV 市场开启了一个有趣的...

  虽然硅几乎达到了它的理论极限，但碳化硅功率器件已经实现了高度的可靠性和成熟度，在汽车领域提供了快速开关和前所未有的效率水平。本文基于PGC Consultancy 进行的分析，解释了 SiC 将如何...

  Imec 展示了高性能肖特基势垒二极管和耗尽型 （d-mode） 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 在基于 p 型氮化镓 （GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上开发的 on-SOI 智能功率集成电路...

  JFET 是一种单极器件，具有两个串联的通道——横向通道和垂直通道。1200V SiC JFET采用SiCED/INFINION（TO220封装）制造，裸片尺寸为2.4×2.4mm 2，导通电阻为300mΩ，阈值栅极电压为-20V，饱和电流为20...

  氮化镓是未来节能电动汽车和 5G 网络的关键组成部分。Hexagem是一家位于隆德大学的初创公司，正在瑞典研究机构Rise 测试平台 ProNano开发一种新的解决方案。该解决方案应有助于实现更大的电气...

  除了可以被视为利基领域的航空航天和国防之外，GaN在电信市场中也占有主体地位，其中高功率密度、开关频率和效率（结合小尺寸）是强制性要求。...

  碳化硅和氮化镓等 宽带隙 功率半导体可减小组件尺寸、提高效率并改善混合动力和全电动汽车的性能。 现在慢慢的变多的汽车制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片制造商正在转变他们的业务，以利用电...

  太阳能光伏、风力涡轮机和储能系统具有三相逆变器，用作主动配电网络和分布式能源 (DER) 之间的接口。如今，具有更紧凑固态变压器 (SST) 的传统笨重变压器也需要三相逆变器来为负载供电。...

  电流测量是过流和欠流保护的一个关键方面。在电动汽车充电系统的速度和功率水平下，传统的保险丝和断路器无法胜任这项工作，除非用于防止极端情况下的灾难性故障。先进的电流感应可实...

  ADP1612是一款低成本、高效率的升压转换器，工作频率为 1.3 MHz，很适合需要体积小巧的消费电子电路。它有一个关断引脚，可将静态电流降至 2 μA 以下，并在低至 1.8 V 的输入电压下工作，非...

  Kubos Semiconductors Ltd. 是一家基于立方氮化镓的 LED 开发商，与曼彻斯特大学和剑桥大学的研究人员合作，确定了 Kubos 的专有材料在提供能够以比六方晶相生产的 LED 更快的速度切换的 LED 的潜力。...

  根据Allied Market Research的数据，全球电动汽车市场的价值将从 2019 年的 1623.4 亿美元增长到 8028.1 亿美元。很多汽车都要充电（电动汽车充电），这就是为什么慢慢的变多的公司正在积极寻求通过...

  汽车行业的发展和创新在汽车设计的几乎所有方面都在加快速度进行发展，包括底盘、动力总成、信息娱乐、连接和驾驶辅助系统。由于驾驶员的担忧和压力增加，对电池电动汽车 (BEV)的快速和广泛采用...

  毫无疑问，所谓的第三代宽禁带半导体碳化硅正在发挥其众所周知的潜力，在过去五年中，汽车行业一直是该材料的公开试验场。基于 SiC 的传动系统逆变器——将来自电池侧的直流电转换为电...

  小型蜂窝的范围依据环境条件而不一样，从几十米到半径为几公里的区域。这些小区保证了更好的领土覆盖和更高的利用无线电信号的效率。为满足 5G 部署的挑战性要求，小型蜂窝需要能...

  本文将展示芯片级封装 (CSP) GaN FET 如何提供至少与硅 MOSFET 相同（如果不优于）的热性能。由于其卓越的电气性能，GaN FET 的尺寸能减小，从而在尊重温度限制的同时提高功率密度。这种行为...